美國晶片趨勢底定！台積電前段先進製程+ 英特爾後段先進封裝2027年上陣

美國隊回來了! 英特爾明後年不僅在先進製程挺進，也將在先進封裝露一手。半導體供應鏈表示，由聯發科操刀的Google 2027 年的AI 客製化晶片（ASIC）晶片TPU v9 ，就是率先採用英特爾EMIB先進封裝的首款晶片，也是聯發科首次採用英特爾先進封裝，未來美國客戶的趨勢就是「台積電美國廠前段先進製程+ 英特爾後段先進封裝」底定！

AI需求持續暢旺下，台積電CoWoS產能供不應求CoWoS光罩尺寸限制，以及及價格居高不下仍是客戶目前面臨的客題。

台積電美國亞利桑那州P1已生產4奈米，預估2027年生產N3製程，P3規劃為N2及以下製程，預估2029年量產，今年增加1000億美元新增建立三座晶圓廠、二座先進封裝廠及一座RD中心。換言之，台積電美國沒有先進封裝，目前就是運回台灣封裝。

但當前雲端CSP廠推進ASIC，為整合更多複雜功能的晶片，封裝面積持續擴大，而英特爾EMIB封裝技術憑其性價比高、光罩尺寸大、熱膨脹係數小，加上供給充足、美國生產等因素，美國CSP已拍板2027年就會採用。

這款代表台積電先進製程＋英特爾先進封裝的ASIC晶片就是委由聯發科操刀、Google下一代的 TPU v8e，廣發證券分析師蒲得宇指出，v8e時間表提前，可能在2027年上半年啓動，產品生命週期銷量將達200萬顆，高於v8x的不足100萬顆。

值得注意的是，v8e產能將獲台積電N2/N3及英特爾EMIB-T支持。從規格來看，v8e將配備2個Compute die（N2）及2個I/O die（N3），高於v8x及博通v8AX。這款v8e也是聯發科首次採用英特爾EMIB先進封裝。

以技術來看，英特爾EMIB已可支援 6 倍光罩級封裝，2026–2027 年有望提升至 8～12 倍，將超越階段 CoWoS 的擴展能力。且由於省去中介層，EMIB 的封裝成本可大幅下降，對於有大面積封裝需求的 ASIC 客戶，具高度吸引力。

業者也指出，目前英特爾的EMIB先進封裝在馬來西亞，後續有美國的新墨西哥廠的規劃，由於封裝技術相較晶圓先進製程來說並不難，預期未來美國CSP會有更多業者跟進。