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    融資多殺多、陸廠價格戰陰影罩頂 記憶體股反彈撐不住 南亞科、華邦電一度跌停

    2026-02-03 11:30 / 作者 財經中心
    南亞科技大樓外觀。李政龍攝
    台股今(3)受美股大漲激勵,開盤一度狂飆逾600點,但記憶體族群早盤大漲後,引爆多殺多,股價大洗三溫暖,南亞科(2408)、華邦電(2344)、群聯(8299)、力積電(6770)、華東(8110)、旺宏(2337)、威剛(3260)、十銓(4967)等逢高賣壓狂瀉,同步呈現開高走低,上沖下洗、震盪劇烈,市場信心動搖。

    指標股群聯早盤開高後賣壓湧現,盤中翻黑跌破2000元,跌幅逾7%;旺宏一度攻上漲停,但漲停隨即打開,漲幅快速收斂至約3%,連帶拖累華邦電、南亞科賣壓加重,甚至一度殺至跌停價位,記憶體族群反彈不成,反釀成多殺多局面,成為盤面弱勢指標。

    市場人士指出,記憶體族群雖有漲價題材,但短線面臨融資過高疑慮,除籌碼面外,在基本面好不容易取得聯手漲價共識後,也因陸廠記憶體廠出現「價格破壞」跡象,引爆賣壓逢高出籠。

    市場傳出繼NAND Flash龍頭長江存儲(YMTC)下半年提前量產後,DRAM大廠長鑫科技(CXMT)傳出以破盤價銷售DDR4,其中DDR4 32GB模組報價僅138美元,約新台幣4,200元,對比目前市面行情仍高達300至400美元(約1萬至1.3萬元),等同僅三分之一價格,震撼市場。

    此一消息引發投資人憂心,記憶體「超級循環」恐不僅提前結束,在陸廠接連攪局、價格戰升溫下,產業恐提早步入紅海競爭。

    業界分析指出,DDR4 32GB模組成本每條不到新台幣1,000元,即使長鑫以4,200元價格拋售,仍具可觀獲利空間;若傳聞屬實,其衝擊程度甚至高於長江存儲提前量產NAND,將直接威脅南亞科、華邦電、力積電等台系DRAM三廠的中長期價格與獲利結構。

    不過,法人指出,長江存儲今年產能擴充幅度已相對收斂,武漢三期即便提前導入武漢新廠,該廠將著重於DRAM的研發及量產,並非針對NAND產能擴充,對於短期NAND Flash供應影響有限,同時由於實體清單限制,加上中國內需同樣龐大,全球NAND供需仍將呈現吃緊態勢。


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