洩半導體核心技術！韓檢起訴前三星高管等10人　助中國長鑫「量產DRAM」

據南韓媒體今天（12/23）報導，南韓檢方今天起訴10名前三星電子的職員，其中包括晶片開發的負責人，他們涉嫌將核心半導體技術，外流至中國晶片大廠「長鑫存儲」，幫助該中國企業量產DRAM（動態隨機存取記憶體）。

據《韓民族日報》報導，首爾中央地方檢察廳的資訊技術犯罪調查部今天宣布，有關三星電子的10奈米級DRAM製程技術外洩案，調查結果出爐，已起訴10名前三星職員，其中包括5名開發負責人，以及5名核心開發人員，三星電子的前常務、現任中國晶片大廠「長鑫存儲」開發室長的楊某，也在名單內。

檢方指出，犯嫌將國家核心技術外流至海外，違反《產業技術保護法》，目前已確認多項犯罪行為，包括：一名三星電子研究員，在跳槽至長鑫存儲時，外洩多達數百項製程資訊，長鑫存儲以此為基礎，進一步取得SK海力士的核心技術，最終在中國成功實現DRAM（動態隨機存取記憶體）的量產。

調查顯示，長鑫存儲2023年突然宣布，該公司成為首家成功量產18奈米DRAM的中國公司，背後原因就是三星電子前職員將技術外流，楊某等犯嫌在長鑫存儲任職4至6年，每人獲得約15億至30億韓元（約3千2百萬至6千4百萬元台幣）的報酬。

檢方強調：「本次調查不僅揭露在韓國境內發生的技術外洩，也指出在中國進行的研發犯罪行為」、「即使是在國外洩露核心資訊，也會受到相應的懲處，這個訊息將能防止類似犯罪。」