【1.4奈米大戰】台積電A14強碰英特爾14A! 技術優勢、量產時程、產地一次看

2025-05-04 07:40 / 作者 戴嘉芬
依台積電製程藍圖,A14將於2028年量產,A14的超級電軌版本預計2029年量產。取自TSMC
晶圓代工龍頭台積電與主要競爭對手英特爾近期皆釋出最新製程進度!台積電4月下旬於北美技術論壇首度揭示下一世代先進邏輯製程技術 A14(相當於1.4奈米),此為2奈米製程後的重大進展。英特爾亦於本周公布 14A 將於2027年進行風險試產,其衍生版本 14A-E 也計畫於同年生產。台積電 A14 正面強碰英特爾 14A,兩者技術特點、量產時程、產地,以及是否採用 High NA EUV 設備,本篇一次看懂。

英特爾去年2月首度將 Intel 14A 製程納入先進製程時程表,本周於「Intel Foundry Direct Connect 2025」進一步公布 14A 將於2027年進行風險試產,其衍生版本 14A-E 也計畫於同年生產。該公司也公布 18A 的全新衍生製程「18A-PT」,在 18A-P 效能和功耗效率基礎上再提升。18A-PT 透過 Foveros Direct 3D 混合鍵合技術連接頂部晶片,達成互連間距小於5微米。

依英特爾最新製程藍圖,Intel 18A力拼今年中量產。Intel 14A預計於2027年進行風險試產。取自Intel

1.4奈米各自採用何種技術?

台積電執行副總經理暨共同營運長米玉傑指出,A14 採用台積電第二代奈米片(Nanosheet)電晶體技術,透過連續節距縮放提供 PPA(效能、功耗、面積最大化)優勢。A14 亦採用「NanoFlex Pro」創新標準單元架構,以實現更好的效能、能源效率和設計靈活性。

台積電A14將透過更快更好的運算速度和能源效率來推動AI轉型,亦有望透過增進裝置端AI來強化手機功能。取自TSMC

與2奈米製程相比,A14 將在相同功耗下,提升10%至15%速度;或在相同速度下,降低25%至30%功耗,同時晶片密度提升1.2倍。

台積電執行副總經理暨共同營運長米玉傑指出,A14目前開發進展良好。取自TSMC

至於 Intel 14A 採用 RibbonFET 2 帶式場效GAA電晶體技術及第二代背面供電技術即 PowerDirect(直接接觸供電技術),此技術基於 Intel 18A 的 PowerVia 背部供電技術發展而成。相較前代,14A 性能提高15%至20%,晶片密度提升近30%,預計功耗將降低25%以上。

Intel 14A家族包括14A和14A-E,將採用High NA EUV設備。截自Intel YouTube

與客戶合作及量產進度

米玉傑說,A14 目前開發進度良好,良率表現優於預期進度。設備升級工作亦進展順利,已提前進行產量規劃,預計將於2028年投入生產,A14 的超級電軌(Super Power Rail,SPR)版本預計在2029年量產。

英特爾技術與營運長暨代工技術與製造部門總經理 Naga Chandrasekaran 指出,Intel 18A 將於今年下半年量產,現在已專注進行 14A 製程節點交付,於奧勒岡廠進行這項任務,將提供具有競爭力的 PPA,且於2027年進行風險試產。

英特爾已與主要客戶針對「Intel 14A」展開合作,向他們發布 14A 製程設計套件(PDK)的早期版本。目前已有多家客戶表達有意願在新製程節點上生產測試晶片。

英特爾執行長陳立武強調,我們正與主要客戶密切合作,確定關鍵 KPI,以確保 Intel 14A 準時交貨。此外,該公司目前已與新思科技、益華、Siemens EDA 等 EDA 業者於 14A 製程進行合作,針對 14A 衍生版本 14A-E 進行早期的設計技術協同優化(DTCO)。

英特爾執行長陳立武指出,英特爾已與新思科技、益華、Siemens EDA等EDA業者於14A製程進行合作。取自Intel

是否採用High NA EUV?

Naga Chandrasekaran 指出,Intel 14A 製程採用 High NA EUV(高數值孔徑極紫外光微影設備),英特爾在奧勒岡已安裝了第2台 High NA EUV,與 ASML 進行良好合作。他強調,Intel 14A 可以使用 Low 或High NA 解決方案,且與設計規則相容,對客戶不會造成任何影響。目前 Intel 14A 還有一個模組尚未準備好,預計它將在下季完成。

英特爾技術與營運長暨代工技術與製造部門總經理Naga Chandrasekaran手持14A製程晶圓。取自Intel

台積電業務開發資深副總暨副共同營運長張曉強提到,在邏輯晶片領域,High NA EUV 可為1.5D和2D實現更多的設計自由度,其單次曝光簡化減少了製程步驟、週期時間,同時也能提高產量,大約可帶來35%成本效益提升和製程簡化。

另根據外媒報導,張曉強表示,從2奈米進到 A14 製程,台積電不必用到 High NA EUV,台積電認為採用 High NA EUV,會讓成本會增加2.5倍,導致 A14 晶片更昂貴,難以打入一般消費市場。因此,High NA EUV 可能用於之後的 A14P 製程。

台積電業務開發資深副總暨副共同營運長張曉強對外媒指出,A14製程不會用到High NA EUV。取自TSMC

1.4奈米產地在哪?

英特爾指出,Intel 14A 製程的研究、開發與晶圓生產大本營位於奧勒岡,當地已安裝了第2台 High NA EUV。

英特爾14A研發生產大本營位於奧勒岡州希爾斯伯勒市,在晶圓廠中進行高密度模組個別晶片檢測。取自Intel

至於台積電先前指出,美國亞利桑那第3、第4座晶圓廠將採用2奈米和 A16 製程技術。而第5、第6座晶圓廠則將採用更先進技術,目前看來這2座廠將採用 A14 製程。

台積電美國亞利桑那第5、第6廠可能會量產A14製程。取自TSMC

台積電董事長魏哲家曾說,最先進製程一定從台灣開始,而且一定在台灣站穩腳步,才會考慮到台灣以外的地方,「台灣的先進製程永遠是優先的」。

至於台積電在台灣的 A14 產地會落腳何處?依目前進度,高雄Fab22第3廠預計2026年完工並申領執照,規劃同年量產;若對應製程藍圖,屆時將可量產 N2P、N3A 以及 A16 製程。而高雄第4、第5廠於3月初通過環評,已啟動建築規劃、執照申請及現地開工等作業,預計2027年辦理竣工及申領使照,未來可能量產 N2X 及 A14 製程。

還有新竹寶山Fab20晶圓廠第3、第4座還在興建中,預計2028年進機。先前供應鏈傳出,台積電已通知設備商提前備妥 A14 所需設備,預定今年在寶山2期裝設試產線,計畫將寶山3期、4期作為 A14 生產據點。

至於中科2期設廠規劃,日前供應鏈傳出,由於目前2奈米產線以新竹、高雄2地為主,台積電規劃於中科切入 A14 製程,預定編號為晶圓25廠(Fab 25),規畫興建4期1.4奈米新廠,第1期希望能趕在2027年前完成風險性試產,2028年下半年正式量產。此時程與甫公布 A14 量產期程頗為吻合。

中科管理局週二(4/29)指出,中科擴建二期計畫用地已取得法定程序,全部移轉為國有,且興農高爾夫球場於4月30日結束營運,興農公司也同意成立信託基金專戶,專款專用於球證補償費用。近期雖有會員因球證補償爭議再度展開抗爭,會員亦已委託律師對興農提起民事訴訟,中科呼籲雙方理性並尊重法院的裁決。

中科重申擴建二期將依據計畫期程,進行相關後續作業,台積電已向中科提出「租地簡報」。中科強調,必要時將執行公權力,讓廠商順利建廠;預計6月底前完成土地點交作業,將土地交給台積電擴廠使用,可望於今年第3季同步啟動公共工程與建廠作業。

戴嘉芬 收藏文章

本網站使用Cookie以便為您提供更優質的使用體驗,若您點擊下方“同意”或繼續瀏覽本網站,即表示您同意我們的Cookie政策,欲瞭解更多資訊請見